RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
94
En -203% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
31
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3649
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link