RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
94
Около -203% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
31
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3649
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link