RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Compara
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,937.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,061.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link