RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link