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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
AMD R538G1601U2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
29
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
19
29
Velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3189
2177
AMD R538G1601U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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