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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

総合得点
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AMD R538G1601U2S 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 29
    周辺 34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.4 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.8
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    19 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    18.4 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.3 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
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