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Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
75
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.9
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
41
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2044
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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