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Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
874.3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
81
En -145% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
81
33
Velocidad de lectura, GB/s
1,885.7
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
874.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
277
3437
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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