RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    874.3 left arrow 14.5
    テスト平均値
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 81
    周辺 -145% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.1 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    81 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    1,885.7 left arrow 21.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    874.3 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    277 left arrow 3437

Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB RAMの比較

Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
メモリRAM