RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
58
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2608
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link