RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2608
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link