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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Puntuación global
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 2,784.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    65 left arrow 65
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,806.8 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,784.6 left arrow 8.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    932 left arrow 1932

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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