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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
69
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
69
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
1598
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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