RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2687
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link