RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,107.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
58
Autour de -93% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2462
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link