RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
92
Autour de -179% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3136
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link