RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
92
Wokół strony -179% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3136
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link