RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Comparez
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Note globale
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Note globale
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
63
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,308.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
63
Vitesse de lecture, GB/s
3,573.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,308.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
371
2543
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link