RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
64
73
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,256.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
64
73
Vitesse de lecture, GB/s
4,651.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,256.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
837
1724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link