RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
73
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
2,256.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
73
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
7.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
1724
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link