RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
53
60
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
53
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2310
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link