RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
63
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3143
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link