Comparaison de la RAM Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Note globale

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 18.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 14.0

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 17000

Autour de 1.51% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

21 31

Autour de -48% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

3649 3356

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns