RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сравнить
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
18.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
14.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
31
Около -48% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
21
Скорость чтения, Гб/сек
20.5
18.6
Скорость записи, Гб/сек
15.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3649
3356
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link