RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
72
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
72
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
1593
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link