RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
72
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1593
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link