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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
70
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
70
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
1923
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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