RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
70
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
70
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1923
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link