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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
56
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,501.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
30
Velocità di lettura, GB/s
3,161.0
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,501.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
381
2947
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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