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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Comparar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
56
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
12.5
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
2947
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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