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Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
42
Velocità di lettura, GB/s
13.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2187
2288
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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