RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.3 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.8 left arrow 14.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 9.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2187 left arrow 2288

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Pamięć RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Pamięć RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Pamięć RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Pamięć RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Pamięć RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Pamięć RAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Pamięć RAM