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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Confronto
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
37
Intorno -95% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
37
19
Velocità di lettura, GB/s
14.6
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2409
3189
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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