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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
総合得点
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
AMD R538G1601U2S 8GB
相違点
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考慮すべき理由
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
37
周辺 -95% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
14.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
9.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
19
読み出し速度、GB/s
14.6
18.4
書き込み速度、GB/秒
9.6
12.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
12800
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3189
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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