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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
64
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
33
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
2727
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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