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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
11.0
10.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
6.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
1720
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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