Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

11 10.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.2 6.1

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 43

Около -54% меньшая задержка
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

43 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.0 10.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1393 1720

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

Kingston 9905701-032.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

модули RAM