RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
比較する
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
総合得点
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
63
周辺 -125% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
1,447.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
28
読み出し速度、GB/s
3,231.0
18.2
書き込み速度、GB/秒
1,447.3
13.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
478
3143
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAMの比較
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAMの比較
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link