RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
94
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,866.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
94
67
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
4,538.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
1,866.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
727
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163B2G 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link