RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3327
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link