RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1699
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link