RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Pontuação geral
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
66
Por volta de -136% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
1,557.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,775.5
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,557.9
5.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
382
1699
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparações de RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link