RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3063
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link