RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2984
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link