RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2437
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link