RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2701
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link