RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4015
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link