RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
2382
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link