RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2994
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link