RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
46
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2453
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link